realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素，电池容量为4300mAh，支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素，电池容量为4300mAh，支持30W闪充。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台，拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB，性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充，支持亮屏充电，边玩边充，充电3分钟，即可充满15%电量，仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台，拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB，性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充，支持亮屏充电，边玩边充，充电3分钟，即可充满15%电量，仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台，拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB，性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充，支持亮屏充电，边玩边充，充电3分钟，即可充满15%电量，仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台，拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB，性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充，支持亮屏充电，边玩边充，充电3分钟，即可充满15%电量，仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台，拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB，性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充，支持亮屏充电，边玩边充，充电3分钟，即可充满15%电量，仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台，拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB，性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充，支持亮屏充电，边玩边充，充电3分钟，即可充满15%电量，仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素，电池容量为4300mAh，支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素，电池容量为4300mAh，支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素，电池容量为4300mAh，支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素，电池容量为4300mAh，支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。4GB+64GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。4GB+64GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素，电池容量为4300mAh，支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素，电池容量为4300mAh，支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。4GB+64GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏，刷新率为90Hz，触控采样率为120Hz，亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器，最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存，后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄，前置1600万像素，电池容量为4300mAh，支持30W闪充。
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