realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素,电池容量为4300mAh,支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素,电池容量为4300mAh,支持30W闪充。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台,拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB,性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充,支持亮屏充电,边玩边充,充电3分钟,即可充满15%电量,仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台,拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB,性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充,支持亮屏充电,边玩边充,充电3分钟,即可充满15%电量,仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台,拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB,性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充,支持亮屏充电,边玩边充,充电3分钟,即可充满15%电量,仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台,拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB,性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充,支持亮屏充电,边玩边充,充电3分钟,即可充满15%电量,仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台,拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB,性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充,支持亮屏充电,边玩边充,充电3分钟,即可充满15%电量,仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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Realme X50 Pro 5G智能手机搭载高通骁龙865 5G移动平台,拥有LPDDR5和UFS 3.0+Turbo Write+HPB,性能强悍。采用全新65W SuperDart超级闪充,支持亮屏充电,边玩边充,充电3分钟,即可充满15%电量,仅需35分钟就能充满4200mAh双电芯电池。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素,电池容量为4300mAh,支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素,电池容量为4300mAh,支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素,电池容量为4300mAh,支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素,电池容量为4300mAh,支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。4GB+64GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。4GB+64GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素,电池容量为4300mAh,支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素,电池容量为4300mAh,支持30W闪充。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。4GB+64GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素。
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realme 6采用6.5英寸FHD+ LCD挖孔屏,刷新率为90Hz,触控采样率为120Hz,亮度为480尼特。8GB+128GB存储。搭载联发科Helio G90T处理器,最高配备LPDDR4X内存+UFS 2.1闪存,后置6400万主摄+800万超广角+200万微距+200万四摄,前置1600万像素,电池容量为4300mAh,支持30W闪充。
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