- 首页
- 发现
- Samsung EVO Plus MicroSDXC 闪存卡 512GB
Samsung EVO Plus MicroSDXC 闪存卡 512GB
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
Samsung EVO Plus 采用V-NAND技术，拥有大容量和高性能，读/写速度分别最高达到为100MB/s 和 90MB/s，可提供UHS-I Grade 3 (U3)和Class 10的性能水平，与现有的EVO 产品线相比，具有更卓越的读取性能。支持防水、防磁、防X光射线、防极端温度和X光射线，可以搭配手机，极限运动相机或三防相机使用。
全文
